✨︎ Resumen (TL;DR):
- Samsung fabricó un prototipo V-NAND de 900 capas que acerca a la industria al objetivo de las 1,000 capas.
- La tecnología Cell Multi-Bonding (CMB) une dos obleas de 450 capas para duplicar la densidad de almacenamiento.
- El desarrollo responde a la competencia directa de SK Hynix y YMTC para dominar la infraestructura de inteligencia artificial.
Samsung Electronics desarrolló el primer prototipo de chip de memoria flash V-NAND de 900 capas en el mundo. Este desarrollo técnico busca multiplicar la capacidad de almacenamiento y reducir el consumo de energía en los servidores que procesan cargas de trabajo de inteligencia artificial.
V-NAND de 900 capas es una memoria flash que apila celdas verticalmente para aumentar la capacidad de almacenamiento y reducir la latencia en centros de datos.
Tecnología de fusión para romper el límite físico
Para alcanzar esta cifra, la compañía utilizó una técnica llamada Cell Multi-Bonding (CMB). Este proceso funde dos obleas de celdas de 450 capas en un solo chip físico. El método permite un incremento drástico en la densidad de almacenamiento sin disparar el consumo eléctrico, un factor crítico para el hardware destinado a la IA.
La empresa surcoreana abrió el mercado de las memorias 3D V-NAND en 2013 con un proceso que perforaba y apilaba agujeros microscópicos en un solo paso. Al aumentar la altura de estas pilas, surgieron problemas físicos como la deformación de las obleas y la desalineación de los componentes.
Samsung resolvió estos inconvenientes mediante un diseño avanzado llamado Upper Chuck y la tecnología de corrección de superposición Overlay Correction. Además, rediseñó las estructuras de sus líneas de bits y palabras para compactar el tamaño del chip y disminuir el consumo de energía.
La carrera por el almacenamiento de alta densidad
El anuncio ocurre en un momento de fuerte competencia en el sector de semiconductores. Actualmente, SK Hynix lidera la producción en masa con chips de 321 capas. Por otro lado, la firma china YMTC ya fabrica en masa memorias de 294 capas gracias al financiamiento de su gobierno.
Mientras este prototipo de 900 capas avanza en los laboratorios de investigación, Samsung prepara la producción comercial de su décima generación de chips V-NAND de 400 capas. La meta de los ejecutivos de la empresa es superar la barrera de las 1,000 capas para el año 2030.
