✨︎ Resumen (TL;DR):
- CXMT anunció la producción masiva de su plataforma DRAM de quinta generación, G5, junto con dos productos LPDDR5X de 24 Gb.
- La compañía afirma que G5 puede producir al menos 50% más chips por oblea que su plataforma de cuarta generación, pero el cálculo mide producción bruta.
- Los componentes apuntan a smartphones y dispositivos portátiles, aunque el anuncio todavía no identifica teléfonos, clientes ni volumen de suministro.
CXMT, el principal fabricante chino de DRAM, anunció el domingo 20 de septiembre la producción masiva de su plataforma tecnológica de quinta generación, G5, y presentó dos productos LPDDR5X de 24 Gb para smartphones y otros dispositivos portátiles. El proceso promete más memoria por oblea, menor consumo y costos más bajos, y podría dar a fabricantes de dispositivos en China otra fuente de suministro. El dato central de rendimiento, sin embargo, cuenta chips potenciales antes de descartar las unidades defectuosas.
El anuncio ocurrió durante el evento World Manufacturing Convention 2026, en Hefei. CXMT fabrica ambos productos con la plataforma G5 y ya los produce en masa.
Dos encapsulados para diseños distintos
LPDDR5X es una variante de DRAM de bajo consumo que funciona como memoria de trabajo para aplicaciones y procesos, sobre todo en smartphones, tabletas, computadoras portátiles y otros equipos alimentados por batería. No sirve como almacenamiento permanente de archivos.
Los nuevos componentes usan dos encapsulados para adaptarse al espacio y a la arquitectura de cada equipo:
- 496 bolas: un formato pensado para uno de los diseños de smartphones o dispositivos portátiles.
- 245 bolas: otro formato para un diseño diferente, de acuerdo con el espacio y la arquitectura del equipo.
Las cifras de capacidad también requieren precisión. 24 Gb significa 24 gigabits, equivalentes a 3 GB en la conversión básica. Eso no significa que cada smartphone vaya a incluir solo 3 GB de RAM. La capacidad final depende de cuántos componentes integre el fabricante y de cómo configure el paquete.
Qué mide el salto a 11.95 nanómetros
CXMT afirmó que redujo a 11.95 nanómetros el semipaso de la zona activa de la matriz DRAM, donde se forman las estructuras que almacenan datos. Para lograrlo utilizó una técnica de cuádruple exposición, que repite etapas de fabricación para formar patrones más pequeños.
Los 11.95 nanómetros no equivalen por sí solos a un nodo de fabricación como los usados para nombrar procesadores lógicos de smartphones. La cifra describe una dimensión concreta de la matriz de memoria.
La reducción permite colocar más estructuras en el mismo espacio, pero una comparación completa también depende del diseño, el consumo, el rendimiento de fabricación y la proporción de chips que superan las pruebas finales.
El 50% extra se refiere a producción bruta
CXMT aseguró que G5 puede producir al menos 50% más de chips individuales por oblea que su plataforma de cuarta generación. El cálculo usa como referencia un dado de 8 Gb y mide la producción bruta, es decir, el número potencial de chips antes de descartar las unidades defectuosas.
Por eso, el 50% no representa el rendimiento útil ni significa que saldrán 50% más chips vendibles. El material disponible no incluye un porcentaje de rendimiento final, una tasa de defectos, precios ni pruebas externas de consumo y desempeño.
Una fuente adicional para la memoria china
Samsung Electronics, SK hynix y Micron dominan el mercado de DRAM. La producción masiva de G5 podría dar a los fabricantes de dispositivos en China otra fuente de memoria para teléfonos.
El anuncio llega mientras Beijing intenta reducir su dependencia tecnológica y las restricciones estadounidenses limitan el acceso chino a determinados equipos y programas avanzados para fabricar semiconductores.
Luo Xiaodong, vicepresidente de CXMT y responsable de su centro de marketing, afirmó que la capacidad de proceso de la empresa está a la altura de los nodos de producción masiva más avanzados. Esa afirmación pertenece a la compañía, no a una comparación independiente publicada junto con el anuncio.
El anuncio no corresponde a HBM
Los nuevos productos corresponden a DRAM convencional y LPDDR5X para smartphones y otros dispositivos portátiles, no a memoria HBM para aceleradores de inteligencia artificial. Los pequeños lotes de HBM3E atribuidos a CXMT tampoco equivalen a un suministro estable.
La prueba pendiente está en los teléfonos
El anuncio no identifica teléfonos concretos ni revela el volumen de suministro que llegará a clientes. La comprobación pendiente es saber si los dos productos aparecen en teléfonos comerciales, con qué clientes y a qué volumen.
Con esos datos ausentes, la información disponible todavía no permite medir si la escala de G5 puede acercarse a la de los tres grandes proveedores globales, Samsung Electronics, SK hynix y Micron. CXMT ya confirmó la producción masiva de G5, pero aún faltan modelos de smartphones, clientes identificados y volumen de suministro para evaluar su alcance comercial.
