Reporte: CXMT ya fabrica HBM3E en lotes pequeños

Reporte: CXMT ya fabrica HBM3E en lotes pequeños

CXMT ya produce HBM3E en lotes pequeños; su expansión en 2027 depende del rendimiento y no tiene proyecto de OPI.

Por Humberto Toledo el 31 de agosto del 2026 a las 9:48 pm PDT

✨︎ Resumen (TL;DR):

  • CXMT comenzó a fabricar HBM3E en pequeñas cantidades y planea ampliar la producción en 2027, aunque no lo ha confirmado públicamente.
  • T-Head, la división de chips de Alibaba, y Cambricon prueban la memoria con sus procesadores para usarla en productos desde 2027.
  • El folleto de OPI repartió 29,500 millones de yuanes en tres proyectos de DRAM y no asignó un proyecto específico a HBM.

ChangXin Memory Technologies (CXMT), el mayor fabricante de memoria de China, comenzó a producir HBM3E en pequeñas cantidades y planea ampliar esa producción en 2027, según un reporte de The Information publicado el 31 de agosto de 2026 y recogido ese mismo día por Reuters. La empresa no ha confirmado públicamente el avance. HBM3E alimenta aceleradores de inteligencia artificial y quedó sujeta a controles de exportación de Estados Unidos en diciembre de 2024.

El reporte cita a dos personas al tanto del asunto. De acuerdo con esa información, esta sería la primera vez que CXMT fabrica esta memoria apilada. Ninguno de los reportes incluye una confirmación pública de la compañía.

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HBM3E llega a pruebas, pero el rendimiento será decisivo

HBM3E es una memoria de alto ancho de banda que apila varios chips de memoria y los coloca junto al procesador para transferirle datos a gran velocidad. Esa proximidad permite que el componente determine cuánto puede entrenar y ejecutar un acelerador de IA.

La generación HBM3E ya tiene una sucesora en producción. Samsung, SK hynix y Micron se encuentran en las primeras fases de producción en masa de HBM4, la siguiente generación. The Information calcula que CXMT mantiene un rezago técnico de entre tres y cinco años y enfrenta bajos rendimientos de fabricación.

Ese rendimiento decidirá si las pequeñas cantidades se convierten en suministro. SemiAnalysis modelaba en junio un rendimiento cercano a 25% para el HBM3 de ocho capas de CXMT, una generación anterior a la que ahora fabrica la empresa. Con esa tasa, se descartan tres de cada cuatro piezas.

La elección también tiene un costo de oportunidad. Según los mismos cálculos, la DRAM convencional produce más de tres veces la cantidad de bits por oblea que una oblea destinada a HBM.

T-Head, la división de chips de Alibaba, y Cambricon ya prueban HBM3E con sus procesadores. Ambos diseñadores chinos planean usarla en productos desde 2027, aunque el paso de las pruebas a un suministro regular dependerá de que CXMT mejore sus rendimientos.

La OPI de CXMT no apartó dinero para HBM

CXMT salió a bolsa en el STAR Market de Shanghái en julio de 2026 y levantó 57,920 millones de yuanes, unos 8,600 millones de dólares. En su primer día cerró en 49 yuanes, un 466% por encima del precio de colocación de 8.66 yuanes. Hasta esa fecha, era la mayor salida a bolsa de Asia en 2026.

El folleto detalla 29,500 millones de yuanes para tres proyectos:

  • 13,000 millones de yuanes para actualizar la tecnología de DRAM.
  • 9,000 millones de yuanes para investigar la próxima generación de DRAM.
  • 7,500 millones de yuanes para modernizar líneas de obleas de memoria.

El documento no incluye un proyecto dedicado a HBM ni revela un compromiso de financiamiento para ampliar esa producción. CXMT tampoco desglosó el destino de los cerca de 28,000 millones de yuanes restantes, más allá de describirlos como capital de trabajo.

La ampliación prevista para 2027 todavía no tiene una partida pública específica. El único documento en el que CXMT puso cifras propias habla de inversiones en DRAM, no en HBM.

El veto de Estados Unidos deja una demanda local

El 2 de diciembre de 2024, la Oficina de Industria y Seguridad del Departamento de Comercio de Estados Unidos sumó la memoria de alto ancho de banda a sus controles de exportación, dirigidos expresamente a frenar la producción china de semiconductores avanzados.

Una HBM3E fabricada en China no competiría de entrada con la oferta de Corea del Sur. Su función inmediata sería sustituir la memoria que los diseñadores chinos no pueden comprar. CXMT también mantiene una disputa con Washington por figurar en una lista del Pentágono.

El mercado global sigue con oferta limitada

El mercado global de HBM sigue concentrado y con oferta limitada. En el primer trimestre de 2026, SK hynix reunió 58% de los ingresos mundiales de HBM; Samsung y Micron tuvieron 21% cada una, según Counterpoint Research.

La presión también se refleja en el precio. Una memoria HBM3E de 36 GB se vende en 2,100 dólares en el mercado spot, entre cuatro y cinco veces el precio de los contratos de largo plazo, de acuerdo con MegaGrid Supply, citada por Seoul Economic Daily.

El 27 de agosto de 2026, el CEO de SK hynix, Kwak Noh-Jung, dijo que espera que la escasez dure hasta finales de 2030.

Por ahora, los datos verificables sobre CXMT son lotes pequeños, dos clientes en fase de prueba y una ampliación para 2027 que depende de elevar el rendimiento. El folleto de OPI aporta cifras para DRAM, pero no una partida pública que respalde una expansión de HBM.

Fuentes: 1, 2, 3, 4, 5, 6

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