✨︎ Resumen (TL;DR):
- ASML sumó a TSMC y Samsung a High NA EUV; Samsung apunta a DRAM en 2028 y TSMC a nodos avanzados en 2030.
- El formato de fotomáscara pasa de 6 por 6 a 6 por 12 pulgadas, con una línea piloto en 2031 y sistemas listos para nodos avanzados en 2033.
- Hasta entonces, los chips grandes de inteligencia artificial se imprimirán en dos mitades; en una EXE:5200B, el rendimiento baja de 175 a 125 obleas por hora.
ASML sumó a TSMC y Samsung como los dos clientes que faltaban para su máquina más avanzada de litografía High NA EUV el 8 de septiembre de 2026. Samsung planea llevarla a producción masiva de DRAM en 2028 y TSMC usarla en manufactura de alto volumen para nodos avanzados desde 2030. El obstáculo está en la fotomáscara de 12 pulgadas, cuyo formato busca permitir la impresión de chips grandes de inteligencia artificial en una sola exposición, con una línea piloto en 2031 y sistemas listos para nodos avanzados en 2033.
High NA llega a producción antes que la máscara grande
High NA EUV es una tecnología de litografía ultravioleta extrema que usa una apertura numérica de 0.55 para resolver detalles más finos en los chips. La EUV convencional trabaja con una apertura numérica de 0.33.
ASML ya tiene a Intel en producción. Los anuncios se repartieron entre el 7 y el 8 de septiembre de 2026 alrededor de la conferencia SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography, celebrada en Monterey, California.
En paralelo, TSMC, Samsung e Intel respaldaron junto con ASML el cambio de un estándar de fotomáscaras que la industria arrastra desde hace décadas: pasar del formato de 6 pulgadas al de 12.
Los compromisos declarados tienen distintos plazos:
- Intel Foundry: producción de volumen en capas selectas de algunos procesadores Intel Core Ultra Series 3, con nombre clave Panther Lake, sobre Intel 18A. El trabajo está en curso.
- Samsung: producción masiva de DRAM con High NA en 2028. La compañía presenta el plan como el primero de la industria en memoria.
- TSMC: manufactura de alto volumen para nodos avanzados desde 2030.
- SK Hynix: evalúa entrar al consorcio de máscaras y aplicar High NA a la producción masiva de DRAM en 2028.
El calendario de SK Hynix matiza la afirmación de Samsung. La otra gran compañía coreana de memoria también fija 2028 para llevar procesos High NA EUV a la producción masiva de DRAM, aunque todavía analiza si se suma al consorcio de las máscaras grandes.
Intel ya reporta más de un millón de obleas
Intel Foundry y ASML reportaron más de un millón de obleas procesadas con High NA. El recuento incluye certificación de equipos, investigación y producción de volumen en capas selectas de algunos procesadores Intel Core Ultra Series 3, con nombre clave Panther Lake.
Intel afirma que el overlay, el rendimiento por hora y la disponibilidad de las herramientas cumplen lo esperado. También señala que las capas de los productos fabricados en Intel 18A con High NA igualan o superan a las capas comparables hechas con EUV de apertura numérica 0.33.
Por qué High NA obliga a partir el chip
La EUV convencional reduce el patrón cuatro veces en cada eje. Con una fotomáscara de 6 por 6 pulgadas, alcanza un campo de exposición de 26 por 33 milímetros sobre la oblea.
High NA eleva la apertura numérica a 0.55 y utiliza óptica anamórfica. La reducción es de cuatro veces en un eje y de ocho veces en el otro. Con la misma máscara, el campo útil se reduce a unos 26 por 16.5 milímetros, la mitad.
Las herramientas EUV de uso extendido imprimen chips de hasta unos 800 milímetros cuadrados. Reuters reportó que compañías como Nvidia y Google diseñan justo hasta ese tope.
Cuando un diseño no cabe en el campo de High NA, el escáner expone dos mitades y las une sobre la oblea. La técnica se llama stitching.
Intel Foundry ofrece hoy ese proceso a sus clientes junto con las soluciones de su PDK. Funciona, pero tiene costos concretos. En una herramienta EXE:5200B, el rendimiento baja de 175 a 125 obleas por hora. El diseño pierde libertad para acomodar bloques y las dos exposiciones deben alinearse con tanta precisión que un desvío mínimo puede distorsionar líneas o romper interconexiones en la costura.
La máscara de 12 pulgadas apunta a 2033
El nuevo retículo mide 6 por 12 pulgadas, el doble de largo que la máscara actual de 6 por 6. La industria nombra el formato por su lado mayor.
El objetivo es recuperar el campo completo de 26 por 33 milímetros en una sola exposición y dejar de usar stitching. Marco Pieters, director de tecnología de ASML, dijo a Reuters que la productividad de esos sistemas subiría 40% si la industria consigue sacar adelante el formato.
El plan contempla una línea piloto en 2031 y sistemas listos para nodos avanzados en 2033. El cambio no consiste únicamente en fabricar un retículo más largo, porque la máscara mueve a toda la cadena que trabaja alrededor de ella.
Cambiar la máscara exige rehacer la cadena
Duplicar el largo del retículo obliga a adaptar varios componentes y procesos:
- Blanks y sustratos.
- Recubrimientos y absorbedores.
- Escritores de patrones.
- Inspección y metrología.
- Limpieza.
- Pellicles.
- Contenedores.
- Robots de manipulación.
Una máscara más grande pesa más y resulta más difícil de mantener plana. Además, una distorsión mínima puede imprimirse de la misma forma en muchas obleas.
Por eso la iniciativa comienza siete años antes de la fecha de producción prevista. ASML y TSMC la plantearon como un esfuerzo de toda la cadena, con proveedores y fabricantes presentes en el anuncio del 7 de septiembre.
El escáner sigue siendo la pieza pendiente
Ni ASML ni Intel han confirmado que los equipos High NA existentes o ya planeados puedan modificarse para aceptar el retículo largo. La hoja de ruta de ASML sigue diseñando los sistemas que llegarán antes y después de 2033 alrededor de la máscara de 6 por 6 pulgadas y del stitching.
Intel Foundry lleva más de tres años impulsando el formato grande. Si el cambio se concreta, el fabricante que definió el estándar tendría una ventaja de origen.
Las capas de High NA llegarán a TSMC y Samsung antes que la máscara que las libere del stitching. Mientras eso ocurre, el chip grande de inteligencia artificial seguirá imprimiéndose en dos mitades. La ganancia de productividad que ASML anticipa depende de que fabricantes de máscaras, proveedores de materiales, casas de EDA y fundiciones cambien de formato al mismo tiempo.
