✨︎ Resumen (TL;DR):
- Samsung detuvo indefinidamente la fabricación de su nueva memoria DRAM D1d por deficiencias técnicas.
- SK Hynix domina el mercado HBM con 57% de participación, frente al 22% de Samsung.
- Esta pausa retrasa directamente los planes de la empresa para liderar el sector de los aceleradores de IA.
Samsung Electronics detuvo de manera indefinida la fabricación en masa de su memoria DRAM D1d de séptima generación (clase 10 nanómetros) al no alcanzar las metas de rendimiento interno. Esta pausa amenaza con retrasar el mapa de ruta corporativo para el hardware HBM5E, esencial para operar los próximos aceleradores de inteligencia artificial de la industria.
El medio coreano IT Chosun y diversas fuentes del sector confirmaron la cancelación de los planes. Aunque el hardware aprobó la fase de preproducción, Samsung determinó que el retorno de inversión era insuficiente para arrancar operaciones comerciales. “Samsung Electronics pretende retrasar la producción en masa de manera indefinida hasta que el rendimiento de D1d cumpla con el objetivo deseado, y actualmente no hay una fecha establecida para reanudar la producción”, detalló una fuente interna a IT Chosun.
La arquitectura D1d funciona como el núcleo de memoria apilado dentro del HBM5E, la solución técnica de novena generación de la compañía. En la conferencia GTC de Nvidia el pasado marzo, Hwang Sang-jun, vicepresidente de Samsung, explicó la situación: implementar procesos de vanguardia eleva los costos, pero es “inevitable para alcanzar el rendimiento objetivo de HBM”.
El dominio de SK Hynix presiona a Samsung
El retraso técnico llega en un punto crítico. Según datos de Counterpoint Research, su rival directo SK Hynix capturó el 57% del mercado HBM por ingresos durante el tercer trimestre de 2025, aplastando el 22% de Samsung.
La competencia por fabricar memoria para IA avanza a un ritmo agresivo:
- SK Hynix aseguró más de dos tercios de los pedidos globales para los próximos sistemas Vera Rubin de Nvidia.
- El competidor planea expandir su capacidad de DRAM 1c para producir 190,000 obleas mensuales hacia finales de 2026.
- En respuesta, Samsung intenta comprimir su ciclo de desarrollo de dos años a uno, y construye una mega planta en Onyang, Corea del Sur, dedicada al empaquetado de DRAM.
- Samsung registró un arranque de 2026 récord, con 133 billones de wones en ingresos y 57.2 billones en ganancias operativas, cifras empujadas por el alto precio de la DRAM y las ventas previas de HBM4.
Este obstáculo con el desarrollo del D1d evidencia un patrón operativo. La corporación ya enfrentó barreras de rendimiento idénticas con su hardware de sexta generación (DRAM 1c), lo que desplazó el arranque comercial de HBM4 desde la segunda mitad de 2025 hasta 2026. Con Micron y SK Hynix acelerando la fabricación de sus propios nodos, el fabricante que logre la estabilidad con el estándar HBM5E absorberá los contratos multimillonarios de los desarrolladores de chips. Por ahora, el calendario de Samsung se mantiene sin fechas concretas.
