✨︎ Resumen (TL;DR):
- TSMC comenzó a preparar planes para fabricar DRAM 3D a petición de Nvidia, según The Information.
- El reporte no precisa fecha de producción, capacidad prevista ni inversión.
- La información no confirma que TSMC ya fabrique esa memoria, haya comprometido una planta o la destine a NVHBM.
TSMC considera entrar a la fabricación de memoria DRAM 3D a petición de Nvidia, según The Information, que atribuye la información a dos personas con conocimiento directo del asunto. El reporte señala que TSMC ya comenzó a elaborar planes para producir ese tipo de chip, pero su fragmento público no ofrece una fecha de producción, capacidad prevista ni inversión. La discusión ocurre mientras Nvidia trabaja para ampliar la memoria disponible para sus sistemas de inteligencia artificial.
Preparar planes no equivale a fabricar. TSMC no ha confirmado que ya produzca esa memoria ni que haya comprometido una planta. El reporte tampoco precisa cuándo comenzaría la producción, cuánto podría fabricar o qué inversión requeriría.
Qué es la DRAM 3D y cómo se diferencia de HBM
Una revisión publicada en The International Journal of High Performance Computing Applications describe el concepto así: La DRAM 3D es una arquitectura de memoria que coloca celdas unas sobre otras dentro de un mismo chip para aumentar la densidad de bits por chip.
La DRAM guarda temporalmente los datos que los procesadores necesitan mientras trabajan. En los sistemas de inteligencia artificial, la velocidad con la que acceden a esos datos influye en el desempeño.
La DRAM 3D y la memoria de alto ancho de banda, conocida como HBM, comparten la idea de apilar elementos en distintos niveles. HBM reúne varios chips de DRAM en una pila conectada a un procesador mediante tecnologías de encapsulado.
Esa disposición permite transferir datos por un canal ancho y mantener la memoria cerca del chip de cómputo. La diferencia es relevante para leer el reporte: hablar de fabricar DRAM 3D no revela en qué producto terminaría ni confirma que se utilizaría en NVHBM, la memoria personalizada que Nvidia presentó en agosto.
La arquitectura de las celdas y la forma de conectar los chips son decisiones distintas.
NVHBM separa el controlador de las celdas
Al presentar NVHBM, Nvidia explicó que esta tecnología incorpora su controlador de memoria en el chip base de la pila HBM. El controlador gestiona la comunicación con la memoria; las celdas DRAM son las que almacenan temporalmente los datos.
En octubre, Seoul Economic Daily informó que Nvidia había pedido a Samsung, SK hynix y Micron utilizar el proceso de 3 nanómetros de TSMC para fabricar esa base lógica. El reporte situaba las capas de memoria en otro proceso de fabricación.
La solicitud sobre el chip base y los planes descritos ahora para fabricar DRAM 3D corresponden a partes distintas de la cadena. Nvidia dijo que busca una implementación común de NVHBM a través de varios proveedores de memoria para reducir el trabajo necesario para integrar y validar los componentes.
El anuncio de Nvidia no identifica a TSMC como fabricante de DRAM 3D para ese producto.
CoWoS no equivale a fabricar DRAM 3D
TSMC ya ofrece CoWoS, un servicio de encapsulado que integra procesadores y pilas de HBM, según su informe anual de 2025. Fabricar DRAM 3D sería otra etapa: producir la memoria, además de integrar chips en un mismo conjunto.
La diferencia evita confundir el servicio de encapsulado que TSMC ya ofrece con la posible fabricación de las celdas de memoria. El reporte no dice si la DRAM 3D terminaría en NVHBM ni cuál sería su producto de destino.
La escala del proyecto sigue abierta
Los fabricantes de sistemas de inteligencia artificial necesitan asegurar tanto procesadores como memoria. En su llamada de resultados del 26 de agosto, Nvidia atribuyó buena parte de la escasez de memoria a la expansión de la infraestructura de inteligencia artificial.
La compañía también dijo que trabajaba con los tres grandes proveedores de memoria para ampliar la capacidad que necesita. Esa declaración describe la presión de suministro que Nvidia observaba entonces, pero por sí sola no confirma los planes internos de TSMC ni permite calcular cuánta memoria adicional aportaría el proyecto.
Para evaluar su posible efecto en la oferta todavía faltan la inversión, el calendario y la capacidad de producción. El fragmento público de The Information deja esos datos abiertos, igual que el producto al que se destinaría la DRAM 3D.
