✨︎ Resumen (TL;DR):
- Samsung Electronics recortó el tiempo de creación de sus memorias de alto ancho de banda de dos a un solo año.
- La meta es alcanzar un 35% de cuota de mercado en 2026, tras caer al 16% este año por el empuje de SK Hynix.
- Su integración vertical elimina la dependencia de terceros como TSMC al controlar fabricación y empaquetado.
Samsung Electronics decidió comprimir su ciclo de desarrollo de memoria de alto ancho de banda (HBM) de dos años a solo doce meses. La estrategia busca sincronizar la salida de sus componentes con la actualización anual de aceleradores de inteligencia artificial de clientes clave como Nvidia.
Un reporte del medio surcoreano Busan Ilbo confirmó la maniobra a través de fuentes de la industria. “La empresa estableció y está ejecutando un plan para lanzar la próxima generación de HBM cada año para igualar el ritmo de lanzamiento de nuevos aceleradores de IA de clientes principales como Nvidia”, detalló un contacto interno.
La presión del sector obligó a este ajuste táctico. Mantener un ritmo bianual dejaba a Samsung vulnerable ante rivales como SK Hynix, actual líder de este segmento de hardware gracias a su estrecha relación comercial con Nvidia.
Para operar a esta velocidad, Samsung exprime su propia infraestructura. La compañía controla toda la cadena de producción: fabrica el dado lógico base en su división de foundry, apila las capas de DRAM y termina el empaquetado avanzado. Esta capacidad interna elimina la dependencia de socios externos como TSMC, empresa que SK Hynix sí necesita para fabricar sus chips lógicos.
El despliegue de la serie HBM4 y HBM4E
Los resultados de la nueva estrategia ya operan bajo un calendario estricto. Según ChosunBiz, Samsung producirá su primer HBM4E en mayo. La división de semiconductores fabricará un dado lógico mejorado a mediados de mes y lo entregará al área de memoria para su ensamblaje. Tras una validación interna, enviarán las muestras a Nvidia.
En marzo, durante la conferencia GTC 2026 de Nvidia, Samsung exhibió una unidad física de HBM4E. El dispositivo mostró velocidades de 16 gigabits por segundo (Gbps) por pin y un ancho de banda de 4.0 terabytes por segundo por pila, aunque analistas aclararon que se trataba de una demostración y no de una muestra validada.
Previamente, en febrero, Samsung inició los envíos comerciales del HBM4. Con esto, se convirtió en el primer proveedor mundial en entregar la sexta generación de memoria para IA. Este producto utiliza un proceso DRAM 1c y un dado lógico de 4 nanómetros, alcanzando transferencias de 11.7 Gbps diseñadas específicamente para la plataforma Vera Rubin de Nvidia.
Los analistas de KB Securities calculan que la cuota de mercado de Samsung, que cayó a un 16% en 2025, repuntará al 35% en 2026 si la maniobra resulta exitosa. Del otro lado, SK Hynix avanza agresivamente con su propio HBM4E, aplicando tecnología de 3 nanómetros de TSMC, mientras que Micron Technology sigue plazos similares.
“La compañía está poniendo un gran esfuerzo en el mercado de próxima generación para evitar repetir el error de ceder el mercado a los competidores en la generación anterior”, aseguró un ejecutivo de la industria a ChosunBiz respecto a la estrategia de la empresa surcoreana.
