💡 Resumen (TL;DR):
- NVIDIA entregó el Premio a Proveedor GaN a Innoscience por sus aportes a la arquitectura eléctrica de la inteligencia artificial.
- Los chips GaN de tercera generación logran reducir hasta 50 % las pérdidas de conmutación frente al carburo de silicio.
- El mercado global de semiconductores de potencia GaN proyecta alcanzar los $2,900 millones de dólares para el año 2030.
NVIDIA entregó el Premio a Proveedor GaN a la empresa china Innoscience el 19 de marzo durante la conferencia anual GTC 2026 en San José, California. El reconocimiento obedece a las aportaciones de la firma asiática a la arquitectura de energía de racks de 800 VDC, consolidada como la base para la infraestructura en los centros de datos de inteligencia artificial.
800 VDC es un sistema de distribución de energía que reemplaza los diseños tradicionales de 54 voltios limitados a operaciones a escala de kilovatios. Al elevar el voltaje a 800 voltios y reducir la corriente, esta arquitectura recorta las pérdidas resistivas, disminuye el uso de cobre y elimina múltiples etapas de conversión para soportar consumos de megavatios en fábricas de IA.
Los semiconductores de nitruro de galio (GaN) sostienen estos sistemas masivos. Innoscience provee una solución de enlace completo que cubre desde los 15 V hasta los 1,200 V, asegurando el flujo energético desde la entrada principal hasta las terminales de las GPU.
La tecnología GaN de tercera generación logra disminuir las pérdidas de accionamiento en un 80 % y las de conmutación en un 50 % por cada medio ciclo de alternancia, superando directamente a las opciones de carburo de silicio en la entrada de 800 voltios.
El rediseño eléctrico de la IA generativa
El cambio hacia mayores capacidades energéticas detonó un nuevo ecosistema de hardware. Durante el evento GTC, que transcurre del 16 al 19 de marzo, múltiples socios de NVIDIA expusieron su nuevo portafolio de distribución eléctrica:
- Flex presentó un rack de energía 800 VDC que incrementa la potencia de cómputo por rack desde 125 kW hasta un tope de 880 kW para las próximas plataformas de GPU.
- Texas Instruments reveló su propia arquitectura completa de energía 800 VDC.
- Eaton exhibió una plataforma de infraestructura de corriente continua de 800 voltios en una presentación conjunta con NVIDIA.
Innoscience lidera el volumen de manufactura global operando las instalaciones de fabricación de GaN sobre silicio de 8 pulgadas más grandes del mundo. Para el cierre de 2025, la empresa superó la entrega de 2 mil millones de chips GaN y alcanzó una producción de 20,000 obleas mensuales, apuntando a una meta a largo plazo de 70,000 unidades con el respaldo de STMicroelectronics y onsemi.
La carrera por energizar a NVIDIA reconfigura los mercados. Cuando la compañía hizo pública su primera lista de socios para la arquitectura 800 VDC en mayo de 2025 —incluyendo a Infineon, Texas Instruments y Renesas Electronics—, los títulos de Navitas Semiconductor registraron un aumento de casi 200 % en una sola sesión bursátil, reflejando el impacto financiero de dominar la gestión térmica y eléctrica en la era de los datos.
