💡 Resumen (TL;DR):
- Samsung y Nvidia formaron una alianza para desarrollar memoria NAND flash ferroeléctrica de próxima generación.
- Esta tecnología permite apilar hasta 1,000 capas y reduce el consumo eléctrico hasta en un 96%.
- El hardware será clave para Vera Rubin, la nueva plataforma de inteligencia artificial de Nvidia para 2026.
Samsung Electronics y Nvidia formaron una alianza de investigación para acelerar el desarrollo de memoria NAND flash ferroeléctrica. El proyecto busca apilar hasta 1,000 capas de chips y reducir el consumo eléctrico en un 96% frente a los estándares actuales. El Instituto de Tecnología de Georgia también participa en el desarrollo técnico.
La memoria NAND ferroeléctrica es una tecnología de almacenamiento que mantiene la polarización interna sin recibir una entrada eléctrica continua. Esto elimina los altos voltajes de paso y baja drásticamente el uso de energía.
Para acelerar el trabajo, el equipo conjunto desarrolló el modelo PINO (Physics-Informed Neural Operator). Esta herramienta de inteligencia artificial analiza el rendimiento de los componentes 10,000 veces más rápido que el software de diseño tradicional asistido por computadora, pasando de operaciones de 60 horas a menos de 10 segundos.
El avance técnico se fundamenta en un estudio publicado en la revista Nature a finales de noviembre de 2025. Un grupo de 34 investigadores de Samsung logró combinar materiales ferroeléctricos basados en hafnio con canales semiconductores de óxido, consiguiendo almacenamiento estable a un voltaje de umbral casi nulo.
Las pruebas de Samsung registraron una reducción de energía del 94% en arquitecturas de 286 capas, cifra que superó el 96% al llegar a las 1,024 capas, manteniendo una densidad de almacenamiento de cinco bits por celda.
El impacto en el hardware de IA de Nvidia
La participación directa de Nvidia marca un ajuste en su manejo de la cadena de suministro. La compañía necesita esta tecnología para introducir el Inference Context Memory Storage en Vera Rubin, su plataforma aceleradora de IA anunciada para CES 2026. Según reportes locales, esta arquitectura consumirá por sí sola el 9.3% de la demanda global de memoria NAND.
El desarrollo llega en medio de una presión de costos sin precedentes en la industria de los semiconductores:
- La firma TrendForce proyecta que los precios de los contratos flash NAND subirán entre 55% y 60% en el primer trimestre de 2026.
- El aumento responde directamente a las empresas de hiperescala que necesitan almacenar cargas de trabajo de inferencia de IA.
- Samsung ya lidera la propiedad intelectual global con 255 patentes de dispositivos ferroeléctricos en los últimos 12 años, superando a Intel (193) y SK hynix (123).
Actualmente, Samsung produce arquitecturas NAND de entre 200 y 300 capas. La transición comercial hacia los materiales ferroeléctricos define su ruta técnica para conquistar el estándar de 1,000 capas, un objetivo de producción masiva fijado para el año 2030.
