La exigencia en desempeño de los nuevos smartphones hace indispensable mejorar la capacidad de memoria de sus chips, y con esto presente, Samsung anunció su nuevo chip de 8 Gb de memoria DRAM para teléfonos y tablets.
El chip utiliza una interfaz de bajo consumo de poder DDR4 (Double Date Rate 4) que puede transmitir 3.2 Gbps por cada una de sus conexiones eléctricas, el doble de los actuales DDR3, además de consumir 40% menos energía.
Cuando estos chips estén disponibles en 2014 se convertirán en la base de los smartphones con memoria de 4 GB. Hoy Samsung comercializa chips de memoria DDR3 de 4 Gb y 6 Gb para ser utilizados en teléfonos de 2 GB y 3 GB de memoria respectivamente.
Tal vez esto suene un poco confuso, el tema está en que la capacidad de los chips se mide en gigabits (Gb), pero la memoria de los dispositivos se mide en gigabytes (GB). Los chips para móviles se empaquetan en grupos, por lo tanto 4 chips de 8 Gb proveerán al dispositivo con 4 GB de memoria.
La memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM, por sus siglas en inglés) es parte esencial dentro del eficiente funcionamiento de los smartphones. Los cada vez más demandantes sistemas operativos y robustas apps constituyen un reto, además del costo de los componentes y el alto consumo de batería de estas diminutas piezas de hardware.
Este nuevo avance por parte de Samsung va de la mano con los nuevos procesadores de 64 bits. El chip A7 de Apple, utilizado en los nuevos iPhone y iPad, es el primero en su clase. Éste mejora considerablemente el desempeño del software, pero conforme más memoria RAM sea requerida por los programas, será necesario que los dispositivos cuenten con más de 4 GB de memoria.
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