Samsung comienza la producción en masa de memorias flash V-NAND de 32 capas

Esta tecnología presenta el doble de duración al escribir datos y consume menos energía

Mediante un comunicado de prensa, Samsung anunció que comenzó la producción en masa de la primera memoria flash V-NAND tridimensional del mercado.

Esta nueva memoria usa una tecnología que apila 32 capas de celdas, lo que deja atrás las 24 que se emplean en la primera generación de Vertical NAND. Para Samsung, una de sus principales ventajas es que se aceleró la producción, pues la compañía emplea el mismo equipo que usó en la fabricación de los modelos actuales.

“Incrementamos la disponibilidad de nuestro V-NAND 3D al introducir una alineación extensa de discos en estado sólido con esta tecnología que cubre tanto el mercado de la PC como el de los centros de datos.”, comentó Young-Hyun Jun, vicepresidente ejecutivo de venta de memorias y marketing para Samsung. A lo que agregó que esperan proveer una distribución constante de discos de alta densidad y alto desempeño en un futuro cercano.

Estos nuevos SSD con V-NAND 3D tienen aproximadamente el doble de duración al escribir datos y consumen 20% menos energía, si se les compara con dispositivos de pasada generación.

La compañía espera lanzar productos con esta tecnología al mercado en el transcurso del año.

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