Será muy difícil que te acabes la memoria interna de los nuevos smartphones de Samsung

La compañía también aumentó la velocidad de lectura y escritura de sus módulos NAND

El nuevo Galaxy S6 cuenta con más memoria interna que cualquier otro smartphone en el mercado, esto debido a que Samsung mejoró su tecnología, la cual soporta 3 bits por célula NAND. Gracias a ello, la compañía consiguió 128 GB de almacenamiento, pero en un estándar UFS 2.0 que por el momento sólo los equipos premium gozarán. La buena noticia es que Samsung encontró la manera de mejorar el estándar eMMC 5.1 y los teléfonos de gama media también incluirán 128 GB de memoria interna.

La diferencia entre ambos estándares es la velocidad de lectura y escritura, la cual, en la arquitectura UFS 2.0, alcanza 350 MB/s en lectura secuencial y 150 MB/s en escritura secuencial, mientras que en la tecnología eMMC 5.1, son 250 MB/s de lectura y 125 MB/s al momento de escribir los datos.

Aunque la latencia no es la misma que la de los equipos premium, muchos usuarios estarán agradecidos por contar con un teléfono accesible y con memoria suficiente para instalar cientos de aplicaciones, bajar decenas de juegos y llevar consigo gran parte de su colección musical.

Aún no sabemos cuándo estará disponible el primer smartphone de gama media con 128 GB de almacenamiento, pero una vez que el Galaxy S6 y Galaxy S6 Edge salgan a la venta, estamos seguros que en la segura mitad de 2015 comenzaremos a ver las primeras propuestas.

Fuente: AndroidAuthority

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